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界面拓扑磁结构关键参量Dzyaloshinskii-Moriya相互作用及垂直磁各向异性的理论研究

发文单位:物理与电子工程学院  发布时间:2018年11月16日 02 : 32 : 13
讲座题目:界面拓扑磁结构关键参量Dzyaloshinskii-Moriya相互作用及垂直磁各向异性的理论研究
讲座时间:2018-11-19 09:00:00
讲座地点:成龙校区第一实验楼北101
主办单位:物理与电子工程学院
主讲人 :杨洪新
主讲人简介:
杨洪新,13th 国家千人计划(青年)入选者,浙江省杰青,浙江省千人,中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员,博士生导师,中科院磁性材料与器件重点实验室副主任。 杨洪新研究员长期从事多种自旋电子学现象的理论计算研究,已在Nature Materials,Nature Nanotechnology,Physical Review Letters,Nano Letters, Advanced Materials等期刊共发表SCI论文40余篇。其中,2011年以第一作者发表在Physical Review B上的关于界面垂直磁各向异性的研究工作从理论上揭示了只需氧化物和铁磁金属界面即可实现巨大垂直磁各向异性(PMA)及其物理机制,突破了传统上依赖重金属和铁磁金属界面实现巨大PMA的框架,为磁随机存储器(MRAM)在材料的选择优化上开辟了新方向,尤其是为MgO基磁隧道结在MRAM的应用上奠定了坚实的理论基础,获得国际同行的广泛认可,该文已被引用350多次,于2013到2017年连续5年被ESI收录为物理学高引用论文(top 1%);2015年,申请人和诺贝尔物理学奖得主Albert Fert教授合作以第一作者发表在Physical Review Letters上的关于Dzyaloshinskii- Moriya Interaction(DMI)的研究工作,对理解和推动斯格明子及磁畴作为磁存储器的信息载体方面做出了重要贡献,已被引150多次;2018年又与Fert教授等合作推出了Rashba效应诱导无重金属的DMI体系,文章以第一兼通讯作者发表在Nature Materials,并被Phys.Org以及IEEE spectrum等追踪报道。同时,申请人在自旋霍尔效应,交换耦合相互作用,石墨烯自旋电子学等多个领域亦做出了多项具有重要影响力的研究成果。